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半导体级超纯臭氧气体发生器

ODST/S1N、DTCT/SN系列臭氧发生器能够产生高浓度、大流量、高压力的超洁净臭氧气体,整体模块化设计,结构紧凑,操作便捷、可视化外观。 

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产品特点

臭氧响应速度快,臭氧浓度高,浓度高达400g/Nm3以上

臭氧输出压力范围宽,压力满足15-45psi区间运行

一定宽度气体流量使用,实现工艺应用灵活

采用超纯发生技术与超纯材料及工艺制造,避免、减少金属污染及析出

水冷型,可选型氮气掺加技术

内部集成流量、压力,臭氧检测等各类相关仪表(可选)

获得自主专利的臭氧专用结构设计,保证系统性能稳定性

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    我们与国内的臭氧运行及

    应用技术专家长效合作

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    协同您对臭氧发生系统中

    相关设备进行升级改造

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